| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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FDA59N30 |
TO-3P-3，SC-65-3 | Fairchild Semiconductor | 4490 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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FDA59N30参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P 包装数量：30 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：300V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：59A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：56 毫欧 @ 29.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4670pF @ 25V 功率 - 最大值：500W 安装类型：通孔 |
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热门型号： Card EdgeASM22DSAS 接线座 - 接头，ELVA34500 压接器，施用器，压0011310654 Card EdgeHCC25DRAS Card EdgeEGM30DTMD 二极管，整流器 -BYV34-400,127 D-SubAK133-2 存储器MT29F1G16ABCHC:C 评估演示板和套件DS3104DK 圆形KPT06J20-24P |
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